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集成电路设计流程详解

时间:2024-01-29 14:02:42 文章来源: Bob官网

  集成电路设计的流程一般先要进行软硬件划分,将设计基本分为两部分:芯片硬件设计和软件协同设计。

  设计人员产品的应用场合,设定一些诸如功能、操作速度、接口规格、环境和温度及消耗功率等规格,以做为将来电路设计时的依据。更可进一步规划软件模块及硬件模块该如何划分,哪些功能该整合于SOC 内,哪些功能能设计在电路板上。

  2.设计描述和行为级验证供能设计完成后,可以依据功能将SOC 划分为若干功能模块,并决定实现这些功能将要使用的IP 核。此阶段将接影响了SOC 内部的架构及各模块间互动的讯号,及未来产品的可靠性。决定模块之后,可以用VHDL 或Verilog 等硬件描述语言实现各模块的设计。接着,利用VHDL 或Verilog 的电路仿真器,对设计进行功能验证(functionsimulation,或行为验证 behavioral simulation)。注意,这种功能仿真没考虑电路实际的延迟,但没有办法获得精确的结果。

  3.逻辑综合确定设计描述正确后,能够正常的使用逻辑综合工具(synthesizer)做综合。综合过程中,要选择适当的逻辑器件库(logic cell library),作为合成逻辑电路时的参考是依据。硬件语言设计描述文件的编写风格是决定综合工具执行效率的一个主要的因素。事实上,综合工具支持的HDL 语法均是有限的,一些过于抽象的语法只适于作为系统评估时的仿真模型,而不能被综合工具接受逻辑综合得到门级网表。

  门级功能验证是寄存器传输级验证。主要的工作是要确认经综合后的电路是不是满足功能需求,该工作一般利用门电路级验证工具完成。注意,此阶段仿真需要仔细考虑门电路的延迟。

  5.布局和布线布局指将设计好的功能模块合理地安排在芯片上,规划好它们的位置。布线则指完成各模块之间互连的连线。注意,各模块之间的连线通常比较长,因此,产生的延迟会极度影响SOC的性能,尤其在0.25 微米制程以上,此现状更为显著。

  由集成电路产业技术创新战略联盟(以下简称“大联盟”)发起的“2018年集成电路产业链协同创新发展成果交流会”近日在京举行,会议期间颁发了首届“集成电路产业技术创新战略联盟创新奖”。科技部原副部长、联盟理事长曹健林,科技部重大专项办公室主任陈传宏,工业与信息化部电子信息司副司长吴胜武,科技部重大专项办公室副巡视员、02专项实施管理办公室副主任邱刚,联盟专家咨询委员会主任马俊如,大联盟副理事长兼秘书长、中国科学院微电子研究所所长叶甜春等联盟相关领导出席会议并发表讲话。来自国内互联网、系统整机、终端应用、集成电路全产业链各环节的企业和部分高校、科研院所的200余位代表参加会议。 陈传宏指出,大联盟以国家战略为指引,搭建了有突出贡献的公司、研究机

  手机、平板电脑仍是触摸屏最大需求市场,将带动触控IC显著需求,而随着Windows 8系统在第四季度正式面市,以及超极本的起量,市场将会形成对支持大、中、小尺寸屏触控IC的全面需求。 低成本方案、触摸笔走俏,超极本有待市场考验 这两年,慢慢的变多的中国厂商开始步入触控IC这一领域,本土厂商敦泰、汇顶等已经取得了不俗的成绩,近日,艾为、格科微电子、集创等手机周边器件厂商也开始布局这一领域,新产品将陆续推出,竞争日益激烈。 国内厂商主要以本土市场需求为导向,关注成本敏感性应用,推出低成本方案,因应此需求,汇顶推出了单层多点方案GT868,该方案可支持线点操作,满足智能手机基本的触控体验。汇顶科技总监陈伟表示:“如最早的功能手机

  随着 DRAM 和 NAND 技术持续迈向更先进几何制程与多层次记忆体的道路,IC Insights密切观察有关 DRAM 和 NAND 供应商的最新动态,期望能提供更清楚的 DRAM / NAND发展蓝图。 在2014年中期,制造 NAND 快闪记忆体元件的最先进制程技术采用的是20nm以及更小的特征尺寸,而 DRAM 采用的制造技术还不到30nm。根据图1所示的制程技术蓝图显示,在2017年以前,最小特征尺寸为2D (平面)的NAND flash将会过渡到10-12nm,而 DRAM 则将迁移至20nm或更小的 DRAM 。 不过,IC Insights坦承,这样的发展形态趋势还无加以定论,因为制造制程节点

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  如同摩尔定律所述,数十年来,晶片的密度和速度正呈指数级成长。众所周知,这种高速成长的趋势总有一天会结束,只是不知道当这一刻来临时,晶片的密度和性能到底能达到何种程度。随技术的发展,晶片密度持续不断的增加,而闸级氧化层宽度不断减少,超大规模积体电路(VLSI)中常见的多种效应变得原来越重要且难以控制,天线效应便是其中之一。在过去的二十年中,半导体技术得以迅速发展,催生出更小规格、更高封装密度、更高速电路、更低功耗的产品。本文将讨论天线效应以及减少天线效应的解决方案。 天线效应 天线效应或电浆导致闸氧损害是指在MOS晶片制程中,有几率发生潜在影响产品良率与可靠性的效应。目前,微影制程采用‘电浆蚀刻’法(或‘干式蚀刻’)制造晶

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  长江网5月20日讯(长江日报记者黄琪 通讯员张珊妮)19日,东湖高新区管委会团队赴上海举办2018中国光谷集成电路投资合作交流会,进行高质量招商。 本次交流会在上海张江高科技园区举行,邀请到上海微技术工研院、阿里云智联网、应用材料(中国)有限公司、芯原微电子等40多家半导体行业院所、企业精英,这一些企业分布在集成电路产业链的研发、终端、设计、封装、设备、材料、投资、配套等所有的环节。 东湖高新区负责人做专场推介,光谷是国家四大集成电路产业基地之一,具备产业、人才、创新、空间、金融、生态六大基础,诚挚邀请各企业走进光谷、投资光谷、建设光谷。近20家企业表达了来武汉、光谷投资的意愿。 东湖高新区投资促进局局长、半导体

  工研院产业经济与趋势研究中心产业分析师蔡金坤于今(6)日举办的工研院论坛中,对台湾IC设计产业的现况与未来提出分析。他指出,台湾的IC设计业者已逐渐朝智慧型手持装置转型,此举将能有效缓和PC市场波动的影响。 不过,他仍提醒,台湾的IC设计业者主要偏向基频晶片、网通、面板驱动IC,而目前全球前20大IC设计企业中台湾虽占5家(联发科(2454)、F-晨星(3697)、联咏(3034)、瑞昱(2379)、奇景(Himax)),但中国大陆的IC设计业者已经逐渐壮大,在全球前20大IC设计企业中占了2家(海思与展讯),加上中国大陆近几年来IC设计业产值每年都有30%的成长率,且有政策面的支撑,因此未来对台湾IC设计业的威胁不容小觑。

  本周A股走势继续分化,三大指数涨跌不一。截至本周五收盘,沪指本周涨1.31点,涨幅为0.04%,收报3522.57点;深证成指跌121.02点,跌幅为0.86%,收报14029.55点;创业板指则大跌84.73点,跌幅为2.72%,收报3034.68点。 受大盘影响,Wind半导体指数本周跌幅扩大,截至周五收盘,wind半导体指数跌155.75点,跌幅为2.26%,收报6735.81点。 集微网从电子元件、材料、设备、设计、制造、IDM、封测、分销等领域选取了142家半导体公司作了统计。本周半导体板块行情再度恶化,跌幅较此前再度放大。本周上涨的股票只有27家,较上周再度减少,另外有1家收平;而下跌的股票则扩大至114家,不难看出,

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  引言 Type-C充电接口因其快充和高度的通用性,成为了电子设备未来最主流的充电接口。它的兼容性强、数据传输速度快、充电速度快、可逆插拔等特点,使其在未来的发展中具有很大的潜力。常见的便携式电子设备如吸尘器、电动工具、音箱等,未来将不再需要用专用的适配器充电,一套Type-C口快充即可适配日常充电设备,这不仅会给我们的工作和生活带来非常大便利,也将大幅度减少电子垃圾,意义非凡。 由于常见的便携式电子设备都采用锂电池供电,而不同设备的电采用的锂电池串数不同。多节锂电池充放电管理一直是一个棘手的问题。Type-C要统一充电接口,为不同锂电池串数的电子设备做充电,对充电芯片的要求是内置快充协议的同时,还要实现对不同设备锂电

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