掺杂是啥意思,硅片自身载流子浓度很低,需求导电的话,就需求有空穴或许电子,因而引进其他三五族元素,诱导出更多的空穴和电子,构成P型或许N型
掺杂界说:便是用人为的办法,将所需的杂质(如磷、硼等),以必定的方法掺入到半导体基片规则的区域内,并到达规则的数量和契合规范要求的散布,以到达改动资料电学性质、制造PN结、集成电路的电阻器、互联线的意图。
?分散的界说:在必定温度下杂质原子具有必定能量,能够战胜阻力进入半导体并在其间做缓慢的搬迁运动。?方式:代替式分散和空隙式分散
?替位式分散:杂质离子占有硅原子的位:?Ⅲ、Ⅴ族元素?一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行?磷、硼、砷等在二氧化硅层中的分散系数均远小于在硅中的分散系数,可经过氧化层作为杂质分散的掩蔽层?空隙式分散:杂质离子坐落晶格空隙:?Na、K、Fe、Cu、Au 等元素?分散系数要比替位式分散大6～7个数量级
?结深:当用与衬底导电类型相反的杂质进行分散时,在硅片内分散杂质浓度与衬底原有杂质浓度持平的当地就构成了pn结,结距分散外表的间隔叫结深。?薄层电阻Rs(方块电阻)?外表浓度:分散层外表的杂质浓度。
?液态源分散:使用维护气体带着杂质蒸汽进入反响室,在高温下分化并与硅外表发生反响,发生杂质原子,杂质原子向硅内部分散。?固态源分散:固态源在高温下汽化、活化后与硅外表反响,杂质分子进入硅外表并向内部分散。
?分散源:硼酸三甲酯,硼酸三丙酯等?分散原理:硼酸三甲酯500°C分化后与硅反响,在硅片标明发生硼硅玻璃,硼原子持续向内部分散,构成分散层。
?分散体系:N2气源、纯化、分散源、分散炉?分散工艺:预堆积,去BSG,再散布?工艺条件对分散成果的影响?气体流量、杂质源、温度
?分散源:POCl3,PCl3,PBr3等?分散原理:三氯氧磷600°C分化后与硅反响,在硅片标明发生磷硅玻璃,磷原子持续向内部分散,构成分散层。?分散体系:O2和N2气源、纯化、分散源、源冷却体系、分散炉?分散工艺:预堆积,去PSG,再散布
?1．硅片外表不良:外表合金点;外表黑点或白雾;外表凸起物;外表氧化层色彩不一致;硅片外表滑移线或硅片曲折;硅片外表划伤,边际残缺,或硅片开裂等?2．漏电电流大:外表沾污引起的外表漏电;氧化层的缺点破坏了氧化层在杂质分散时的掩蔽效果和氧化层在电路中的绝缘效果而导电;硅片的缺点引起杂质分散时发生管道击穿。?3．薄层电阻误差?4．器材特性反常:击穿电压反常;hFE反常;稳压二极管稳压值反常。
?污染操控:颗粒、有机物、薄膜、金属离子?污染来历:操作者,清洗进程,高温处理,东西?? 参量操控:温度,时刻,气体流量(影响最大?)?1．温度操控:源温、硅片温度、升温降温、测温?2．时刻:进舟出舟自动化, 试片?3．气体流量:流量安稳,可重复性,假片
?界说:将掺杂剂经过离子注入机的离化、加快和质量剖析,成为一束由所需杂质离子组成的高能离子流而投射入晶片(俗称靶)内部,并经过逐点扫描完结整块晶片的注入?掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决议?掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决议 。
?掺杂的均匀性好?温度低:小于600℃?能够准确操控杂质散布?能够注入各式各样的元素?横向扩展比分散要小得多?能够对化合物半导体进行掺杂。
?特色:横向效应小,但结深浅;杂质量可控;晶格缺点多?基本原理:杂质原子经高能粒子炮击离子化后经电场加快炮击硅片外表,构成注入层?设备:离子源、聚集、剖析器、加快管、扫描、偏转、靶室、真空体系
离子注入以往的文章里边介绍过,这儿就不多温习了。明日深圳光博会开端了,欢迎各位来深圳参与。明日走起遛遛
Quintus 冷等静压机将参加 我国领创特种资料有限公司的打破级设备阵型