集成电路大致上可以分为硅基半导体与化合物半导体二大类，半导体产业高质量发展经历了三个阶段：
2)第二代半导体是以砷化镓(GaAs)材料为衬底的化合物半导体，目前也已经广泛运用；
3)第三代半导体以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表，其余包括氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等的研究尚处于起步阶段。
与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
自贸易战以来，中美关系长期处在微妙状态，在传统的一、二代半导体行业，美国拥有非常大的优势的技术、专利、市场占有率，可以在任何一个环节打压中国，以华为为代表的企业从海外采购零部件和芯片制造技术正面临慢慢的变多的困难。自主可控一直是当下内循环最重要逻辑。
同时，随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日渐增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视，国际上已形成完整的覆盖材料、器件、模块和应用等环节的产业链，全球新一轮的产业升级已经开始。
8月4日，国务院公开发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高水平发展的若干政策》强调，集成电路产业和软件产业是信息产业的核心，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量，其中重点强调，中国芯片自给率要在2025年达到70%。所以中国半导体产业高质量发展是非常有必要的，中国的崛起也必将全力发展半导体产业，以保证中国的电子信息产业的稳定发展。
据权威消息的人偷偷表示，“十四五”规划之中，我国计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等每个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。下一个五年的经济战略包括向无线网络到人工智能等技术领域投入约1.4万亿美元。
第三代半导体(以SiC和GaN为主)又称宽禁带半导体，禁带宽度在2.2eV以上，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，逐步受到重视。
硅材料随着电压的升高，高频性能和单位体积内的包含的能量不断在下降，和碳化硅、氮化镓相比优势越来越小。碳化硅主要运用在高压环境，氮化镓大多分布在在中低压的领域。造成两者重点发展的方向有重叠、但各有各的路线V以上通常是碳化硅材料的应用，650V以下比如一些消费类电子上氮化镓的优势更加明显。
根据Omdia的《2020年SiC和GaN功率半导体报告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半导体的出售的收益预计将从2018年的5.71亿美元增至8.54亿美元。未来十年的年均两位数增长率，到2029年将超过50亿美元。
半导体材料的发展大多数表现在三个方面：1)衬底及外延材料向大直径发展；2)材料的品质和器件性能的提升；3)成本和价格的下降推动产业高质量发展。在衬底方面，日本多家公司已在出售2~3英寸GaN衬底；在外延片方面，4~6英寸Si衬底GaN外延片的材料已经实现量产。
氮化镓作为第三代半导体材料，有更高的禁带宽度，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，下游应用包括微波射频器件(通信基站等)，电力电子器件(电源等)，光电器件(LED 照明等)。
目前GaN知名厂商集中海外，根据Yole报告，氮化镓产业链基本包括衬底、外延片、器件制造等环节，其中硅基衬底主要供应商有德国Siltronic、日本Sumco、日本Shin-Etsu 等企业，而日本的NTT-AT、比利时的EpiGaN 和英国的IQE 等则是硅基GaN 外延片的主要供应商。部分厂商则在产业链上延伸，同时生产外延片及器件制造，例如Episil、Bridg、Fujitsu 等。目前主流氮化镓生产厂商依旧集中在欧洲国家及日本等，我国企业尚未进入供给端第一梯队。
目前采用氮化镓的微波射频器件大多数都用在军事领域、4G/5G 通讯基站等，由于涉及军事安全，国外对高性能氮化镓器件实行对华禁运。因此，发展自主氮化镓射频功放产业，有助于打破国外垄断，实现自主可控。
得益于GaN可处理更高频率和更高能效的电源，相比硅组件，GaN可以在尺寸和能耗减半的条件下输送同等的功率，来提升功率密度，帮助客户在不增大设计空间的同时满足更高的功率要求。而大范围的5G网络覆盖要求运营商部署更高功率和运行频率的设备，GaN的功率密度优势能够完全满足他们的需求。
GaN作为第三代半导体材料，大范围的应用于功率电子器件中，根据材料商一度援引Yole数据，2018年GaN功率器件国际市场规模中，电源设备领域占比55%，其次是激光雷达，占比达到26%，其他下游应用如包络跟踪、无线电源等。
目前使用的电子及电源设备，如个人电脑适配器、音频/视频接收器和数字电视等，有着占用空间大、不美观、发热导致电量损耗等缺点，而GaN 能够减少电源体积，同时提升效率。
GaN和SiC器件进入光伏市场，将为小型系统带来更大的竞争优势，最重要的包含：更低的均化电力成本，提升通过租赁和电力购买协议而销售的电能利润。此外，这一些器件还能改善性能和可靠性。据北极星太阳能光伏网援引研究机构Lux Research 报告数据显示，受太阳能模组的下游需求驱动，宽禁带半导体――即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元。
在军用市场，GaN射频器件需求迅速增加，根据有关数据，仅战斗机雷达对GaN射频功率模块的需求就将达到7500万只。目前，美国海军新一代干扰机吊舱及空中和导弹防御雷达(AMDR)已采用GaN射频功放器件替代GaAs器件。根据该期刊论文援引Yole的预测，2020年末，GaN射频器件市场规模将达到7.5亿美元，年均复合增长率20%。
回顾整个碳化硅的发展历史，不难发现在21世纪，碳化硅的发展步伐慢慢的变快，如图所示，其中比较标志性的事件是：2016年搭载ST碳化硅器件作为电机驱动的Model 3发布，使得碳化硅器件开始大规模进入市场。
碳化硅功率器件定位于1KW-500KW之间，工作频率在10KHz-100MHz之间的场景，非常适合于对于能量效率和空间尺寸要求比较高的应用，如电动汽车充电机、充电桩、光伏逆变器、高铁、智能电网、工业级电源等领域，可逐渐取代硅基MOSFET和IGBT。
海特高新（002023）：公司是国际一流水平的高性能集成电路制造企业，根据其2018年年报披露，已建成国内首条6寸化合物半导体商用生产线，解决了中国化合物半导体产业链中制造环节的瓶颈，实现了核心高端芯片自主可控及国产化替代。目前公司已完成氮化镓NHP50基站技术能力建设和硅基氮化镓功率器件的开发，已完成580余款定制芯片的开发与流片，已经具备5G氮化镓基站芯片代工能力。
三安光电（600703）：依据公司2018年年报披露，三安光电主要是做Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用，着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到外延、芯为核心主业。公司目前氮化镓射频涵盖5G领域，已给几家客户送样，产品已阶段性通过电应力可靠性测试，实现小批量供货。
露笑科技（002617）：公司将与合肥市长丰县人民政府共同投资100亿元建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园，致力打造碳化硅“设备--衬底--外延”的完整产业链。
赛微电子（300456）：控股子公司聚能晶源团队掌握了国内领先的第三代半导体氮化镓(GaN)从材料生长到器件设计、制造的完整高端工艺和丰富经验，成为高频大功率应用的8寸硅基氮化镓(GaN)晶圆材料供应商。
(本文综合自中信建投、国泰君安春季策略会、海通证券、申港证券及华创证券等)