摘要：2017年是全球集成电路技术 10 nm 节点的量产期，而 2018 年是10 nm 节点向 7 nm 节点的世代过渡期。分析全球集成电路技术的新进展，探讨主要工艺路线下的全球集成电路主流产品，包括微处理器、存储器的主要生产厂商。
中文引用格式：王龙兴.全球集成电路的技术新进展和基本的产品分析[J].集成电路应用, 2019, 36(02): 1-7+14.
高昂的研发费用和指数式增长的产能投资使更多的半导体厂商望而却步。目前能进入 16/14 nm 及以下节点的全球半导体厂商仅为 6 家，即英特尔、格罗方德、三星、台积电、联电和中芯国际。近年来，这些厂商量产工艺技术发展路线图（Process Roadmaps）如图 1 所示。
2018年是 7 nm 技术进入量产的关键年[1]。三星在 2017 年 5 月秀出 7 nm 技术之后，于 2018 年下半年进入量产。台积电计划在 2018 年第二季度抢先实现 7 nm 技术量产，格罗方德则宣布 2018 年年底才能进入量产。
据台积电和三星的消息，高通 2017 年和 2018 年的 7 nm 4G LTE 芯片代工订单已由台积电拿下，2018年下半年试产的 5G 芯片则选择三星的 7 nm EUV（极紫外光刻）制程生产。目前台积电几乎已经垄断了 7 nm 的全球代工市场，其中不仅包括高通骁龙 855（Snapdragon855），还加进了苹果 A12等重磅大单，市场优势十分显著。
7 nm 技术如同 28 nm 技术一样，也是一个长寿命节点。28 nm 技术是平面工艺的临界点。在 28 nm 时，不仅 MOS 晶体管结构仍然是平面型的，而且仍旧能采用图像的一次曝光技术。在 28 nm 以下节点时，不仅 MOS 晶体管采用 FinFET 结构，而且要采用两次图形曝光技术（DP），甚至三次或者四次图形曝光技术。而 7 nm 技术又是由 193 nm ArF 浸没式光刻向 EUV（极紫外光刻）技术的转折点。
台积电 7 nm 制程在 2018 年第二季度抢先进入量产时，也积极导入 EUV 技术，以形成 7 nm 增强版制程，用于 2019 年的量产。此外，台积电还计划在 2020 年将 5 nm 技术导入量产，以形成先进制程上的一马当先的优势。为此，台积电投资 5 000 亿元新台币在中国台湾南科园区建设 5 nm 技术的生产厂房（Fab18）。该项工程分 3 期实施。第 1 期厂房在 2018 年年初动工，预计在 2019 年风险试产，2020 年正式量产。第 2 期厂房则在 2018 年第三季度动工，预计在 2020 年量产。第 3 期厂房则在 2019 年第三季度动工，正式量产日期则定在 2021 年，共 3 期厂房完成后满载年产能可能超过 12 英寸晶圆 100 万片。
台积电为保持技术的领头羊，已经针对 3 nm技术投入了几百名研发人员和大量的相关研发资源，预计 2020 年进行试产，预计台积电 3 nm 研发技术及产能建设的总投资大约为 7 500 亿元新台币（约合 1 640 亿元人民币）。
2017 年 5 月，三星首秀了 7 nm LPP（Low-Power Plus）EUV 工艺，该节点会引入 EUV（极紫外光刻）技术，并拿下了高通的 5G 手机芯片订单。5G 是下一阶段移动通信市场的热点，但 5G 全球商用时间将落在 2020 年。这在某种程度上预示着三星在比此更早的时间内将这项新工艺在良率上做到很好的控制，并进行量产。据三星报道，7 nm LPP EUV 工艺与 10 nm FinFET 工艺比较具有工序较少、良率较高的优点。芯片面积将缩小 40%，性能将提高 10%，功率将下降 35%。在此新工艺的支持下，高通骁龙（Snapdragan）5G 芯片组可减少占据空间的大小，让手机 OEM 厂商有更多的使用空间，以增加电池容量或做薄型化设计，明显增进电池续航力。
为了增加 7 nm LPP EUV 工艺的产能，三星位于韩国华城市（Hwaseong）的 7 nm 工厂已在 2017 年 5 月动工，预计在 2018 年内量产。该工厂计划总投资为 6 亿兆韩元（相当于 56 亿美元），工厂内安装 10 台 EUV 光刻设备，仅采购这些机台费用就达到 4 亿兆韩元（相当于 37.5 亿美元）。此外，三星还将公布建设 6 nm 晶圆生产工厂计划，以迎接晶圆制造技术加快速度进行发展的挑战。
从图 1 中能够准确的看出，对于三星和台积电而言，2015 年三星的 14 nm 较台积电的 16 nm 抢先半年投入量产，最终台积电还是以其性能优势击败三星，并使其 16 nm 工艺于 2016 年独拿了苹果公司的 A10 处理器（iPhone7）订单。进入 2017 年后，三星自主设计了 10 nm 技术的Exynos8895 并搭载于自家旗舰手机 Galaxy S8上，宣称与上一代 14 nm 技术相比，性能提高了27%，功耗降低了 40%。另外，台积电的 10 nm 技术继续为苹果公司加工的 A11 处理器用于 iPhone8 上，并得到了苹果公司的好评。
英特尔在 2014 年年底已开发成功 14 nm FinFET 技术，并在 2016 年继续推出了第二代14 nm 技术 14 nm+。英特尔的改进型 14 nm+ 技术，实际上就等于其他厂商的 10 nm 技术。英特尔在 2017 年还推出了第三代 14 nm 技术 14 nm++。英特尔表示，14 nm 产品在 2018 年还会继续做下去。至于 10 nm 技术，英特尔在 2017 年年底和 2018 年上半年选择小规模出货，2018 年下半年进入大规模制造。英特尔的 10 nm 技术，其实与其他厂商的 7 nm 技术相当。因此，英特尔在技术节点的定义上似乎显得落后，但英特尔工艺技术的实质水平并不落后。
集成电路技术在 28 nm 技术节点后出现了分水岭，跨过该节点后，台积电、英特尔、三星等都依照摩尔定律向 16/14/10/7 nm FinFET 技术前进，FinFET 技术锁定在最先进的技术的应用产品上，包括高阶处理器、人工智能（AI）、深度学习（Deep Learning）、云端服务器等应用。而28 nm 节点后的另一条技术路线是发展 FD-SOI 技术（全耗尽体上单晶硅技术），以格罗方德和三星为代表。严格地说，这两家厂商在 FinFET 和 FD-SOI 两条技术路线上都“押宝”。而 FD-SOI 技术非常适合于物联网、汽车电子、5G 移动通信和射频连接等技术，其最大特点是低功耗。格罗方德在 2015 年发展 14 nm FinFET 的同时，全力发展 FD-SOI 技术，推出了 22FDX（22 nm FD-SOI）技术。2017 年，格罗方德的 22FDX 进入了量产阶段，成为意法半导体（ST）的策略伙伴。除此之外，目前已有上百家车用电子、5G 和物联网相关客户正在评估导入 22FDX 技术，尤其看好其 RF 和低功耗的整合特性。格罗方德发展 22FDX 之路已经获得了国际大厂的肯定。我国大陆地区的一些 IC 设计企业，包括上海复旦微电子、瑞芯微电子和国科微电子等都在尝试采用 22 nm FDX 技术发展自身产品。
与此同时，格罗方德还积极地推进 FinFET 的技术路线 nm FinFET 节点的基础上，于 2018 年年底进入 7 nm 节点，2019 年开始量产 7 nm 芯片，首位客户是超威（AMD）。2017 年，AMD 依靠格罗方德的 14 nm 技术，在新推出 Zen架构 CPU 和 Vega 架构显示卡后市场需求强烈，AMD 在 2017 年终于实现了扭亏为盈的目标。7 nm 技术对于 AMD 公司产品的发展更重要，因为 AMD 的 GPU 及逻辑芯片都需要积极向 7 nm 节点推进。
近年来，中国大陆地区集成电路产业的快速崛起已成全球半导体产业的热点，中国大陆地区集成电路技术的快速提升引人注目。2017 年，中国大陆地区 IC 设计业的领头企业华为海思和展讯通信已采用 10 nm 技术制造智能手机芯片，并进一步开展了 7 nm 下一代智能手机芯片的研发。2018 年，华为海思和展讯通信无疑会成为台积电 7 nm 制程的客户。
中芯国际（SMIC）是中国大陆地区最大的晶圆制造企业，其在 2017 年成功扩展了 28 nm 技术量产，第四季度 28 nm 技术代工产品占据营业收入的比重提升至 11.3%，并积极发展 14 nm 技术，预计在2019 年 14 nm 代工产品将正式上市。
根据以上对于台积电、三星、格罗方德、英特尔和中芯国际等厂商先进制程的分析，综合以上各厂商从 28 nm 至 7 nm 各节点技术开始量产的时间如表 1 所示。
根据全球技术领先的纳米电子与数字研发技术创新中心 IMEC 和美国 Cadence 公司在 2018 年 3月初的最新报告，业界首款 3 nm 测试芯片已经成功流片。制造该芯片时采用了极紫外光刻（EUV）技术、193 nm ArF 浸没式光刻技术（193i）设计规则 Candence®InnovusTM，设计实现系统和 GenusTM 综合解决方案，已实现了更为先进的 3 nm 芯片设计。IMEC 为测试芯片选择了业界通用的 64 位 CPU，并采用定制 3 nm 标准单元库及 TRTM 金属的流程。IMEC 和 Cadence 通过双方长期深入合作，携手完成了 3 nm 制程工艺流程的完整验证，为 3 nm 新一代设计和制造创新开拓了前驱之路。
微处理器（MPU）是当今最复杂的集成电路之一。在过去的 40 年中，微处理器性能和技术指标一直更新，发展出多核、并行计算、64 位架构等。微处理器的设计和性能也日益强大，除具备中央处理器（CPU）的所有功能外，有的微处理器还增加了图像处理、视频信息处理和新兴的人工智能（AI）应用等慢慢的变多的系统级功能和加速模块。
在应用方面，微处理器不但是 PC、服务器和大型主机的最主要构件，而且还大范围的使用在各种系统的嵌入式处理，如网络设备、计算机外设、工业控制、医疗设施、汽车电子、智能电视、机顶盒、视频游戏机、物联网和可穿戴设备等应用中。
根据 IC Insights 发布的最新 McClean Report 的数据，2017 年全球微处理器的市场销售规模为 715 亿美元，比 2016 年增长 5%，而 2016 年的增长率为 9%。其预计 2018 年全球微处理器市场会达到 745 亿美元规模，同比增长 4.2%。图 2 展示了 2012 年和 2017 年在计算机 CPU（PC 与服务器）、嵌入式处理器和移动终端 SoC 处理器（平板电脑和智能手机）三大应用领域中微处理器的市场规模。可见，在过去 5 年中增长最快的是应用于平板电脑和智能手机的 SoC 处理器，其次是嵌入式处理器。但在计算机 CPU 领域的市场规模仍然是最大的。
回顾近几年来全球微处理器的演进过程，2010～2014 年手机和平板电脑的 SoC 处理器是微处理的主要增长动力。但在 2015 年后，这两种微处理器的增速都有所放缓。智能手机的成熟和市场饱和减缓了手机应用处理器的进一步增长。2016 年和 2017 年手机应用处理器的出货量基本持平。预计到 2018 年销售金额仅增长 0.3%，但出货量仍达到 18 亿颗，创历史新高。
目前，全球微处理器业务继续由英特尔（Intel）主导。在过去20年中，全球微处理器市场 75% 由英特尔掌控。但近年来由于手机和平板电脑中基于 ARM 架构 SoC 处理器的强劲增长，使得英特尔的微处理器市场比例下降至 60% 左右。以前，英特尔针对全球PC的庞大微处理器市场，只有一个对手 AMD（超微）。但近年来随只能手机和平板电脑在各种应用领域的广泛兴起，使得英特尔进入了“后 PC 时代”，竞争者也明显增多。
IC Insights 最近的报告数据显示了 2018 年全球 MPU 市场的发展的新趋势。预计 2018 年全球微处理器的市场规模为 745 亿美元，同比增长 4.0%。预计从 2018 年至 2022 年的 5 年间，全球 MPU 销售额的年均复合增长率为 3.4%。在出货数量方面，预计 2018 年全球微处理器的出货量达到 26 亿颗，同比增长 2.0%，从 2018 年至 2022 年的 5 年间，全球 MPU 出货量的年均复合增长率为2.1%。
对于存储器来说，2017 年是难得一见的好年。据美国半导体协会（SIA）发布的数据，2017 年全球存储器的销售额达到 1 240 亿美元，增长幅度达到61.5%。其中 DRAM 销售额大增 76.8%，NAND Flash也大增 47.5%。而其他半导体产品仅增长 9%。因此，DRAM 和 NAND Flash 已成为 2017 年全球半导体市场欣欣向荣的主要推手。
究其原因，从 DRAM 的供给侧来看，一是近二三年中 DRAM 大厂几乎都没有大幅扩充产能，以免重蹈以往抢产能导致供需失衡的覆辙；二是 2016 年以来正值 DRAM 技术世代交替，由 DDR3 转进 DDR4，大容量内存的供给多于小容量内存的供给，造成下游客户被迫升级电子设备中的内存搭载容量。从市场需求侧方面分析，需求侧对电子系统内存容量的提升也扮演着关键的角色。过去内存的需求以 PC 为大宗，应用市场比较单一，且规模相对有限。自 2016 年起，除了 PC 之外，智能手机性能升级，以及大数据产业高质量发展带动服务器的需求与日俱增，服务器的扩容也成为内存的重要市场。综合供需两侧的差异，成为2016年下半年以来 DRAM 供货紧缺和价格大大上扬的根本原因。表 2 列出了 2010～2017 年智能手机和 PC 对 DRAM 平均搭载量的变化。尤其智能手机对内存搭载量平均每年呈现 30% 以上的增量。
根据 IC Insights 的统计，2015～2017 年各季度全世界 DRAM 的销售规模如图 5 所示。从 2015 年第一季度到 2016 年第一季度，DRAM 的销售规模基本上呈现逐季下降的趋势。但从 2016 年第二季度开始，全球 DRAM 市场逐季升高。到 2017 年第四季度市场规模达到 210.61 亿美元，比 2016 年第二季度增长了 180%。
自 2016 年下半年以来 DRAM 平均售价一直上升，使全球 DRAM 三大供应商三星、SK 海力士和美光获得了前所未有的经济效益。例如，根据美光 2017 年第三季度的财报（截至 2017 年 5 月），在此期间美光在 55.7 亿美元的销售额中获得了 16.5 亿美元的净利，净利率达到 30% 以上。而在其 2016 年第四季度的财报（截至 2016 年 8 月）中，美光亏损了 1.70 亿美元。另一个相似的实例是 SK 海力士，2017 年第二季度，SK 海力士在 59.4 亿美元的销售额中，获得了 21.9 亿美元的净利，净利率达到 37%。相对而言，2016 年第二季度，SK 海力士在 33.9 亿美元的销售额中，获得的净利仅为 2.46 亿美元。因而，DRAM 供应商的共同感受是：在以前少赚甚至亏损的钱，这次要加倍赚回来。
在 DRAM 的技术进步方面，近二三年来 DDR4 替代 DDR3 的市场占有率明显地增加，如图 7 所示。2014年，DDR3（包括在平板电脑、智能手机和笔记本电脑等应用领域）占 DRAM 总量的 84%，到 2015 年 DDR3 仅占 76%。但是，到 2016 年 DDR4 的平均售价降至与 DDR3 相差无几。英特尔最新的 14 nm 的 X86 核处理器，也包含了 DDR4 控制器和界面。因此，在 2017 年 DDR4 上升成为 DRAM 的主要份额，达到 58%，而 DDR3 退居到仅占 39%。
根据 Digitimes 的预测，2018 年 DRAM 供给端产能可能会增长 10%。观察全球 DRAM 三大阵营：三星、SK 海力士和美光的行动，三星在韩国平泽市新建 PI 厂房和 Line15 生产线生产线，美光在日本广岛实施 Fab15 和 Fab16 建设规划。从市场需求来看，根据SEMI的估计，一直到 2021 年，DRAM 需求端的增长率至少上看 30%。驱动 DRAM 产业继续冲刺的四大动力是：第一为物联网（IoT）相关应用；第二是大规模运算，涵盖人工智能（AI）、深度学习（Deep Learning）系统等；第三是汽车电子相关应用；第四是消费类产品和通信产品等。
2017 年是 3D NAND Flash 快速崛起的关键年，包括三星、美光、东芝等厂商陆续推出了具有竞争力的 64 层 3D NAND Flash 加入竞局。SK 海力士更是从 48 层一举跳到 72 层 3D NAND Flash，以求在技术上突围。由于 2D NAND Flash 的产量受限，加上 3D NAND Flash 良率不稳，以及市场上固态硬盘（SSD）需求腾飞，造成 2017 年上半年闪存市场严重缺货，市场供不应求，刺激售价持续高涨。到 2017 年下半年，3D NAND Flash 产量超过了 NAND Flash 产量的半数，全面开启了 3D NAND Flash 的时代。
半导体产品的技术进步给半导体厂商带来了效益的一直增长。2016～2017 年，全球 NAND Flash 正处于技术交替时期，全球主要供应商在 3D NAND Flash 制造技术的竞争已达到白炽化的程度。据美光（Micro）称，其第一代 32 层 3D NAND Flash 要比 16 nm/2D NAND Flash 成本减少 25%，其第二代 64 层 3D NAND Flash 又要比 32 层的成本减少 30%，这就是闪存制造商要急于向 3D NAND Flash 切换和向更高堆叠层数发展的主要原因。
今后，随着 3D NAND Flash 产能的迅速增加，16 nm 2D NAND Flash 的产量将逐步减少，而且二维闪存（2D NAND Flash）制程也将终结于 16 nm节点，闪存制造厂商将直接放弃二维闪存的研发技术。由此二维闪存（2D NAND Flash）的市场也将与三维闪存（3D NAND Flash）脱钩，逐渐转变为利基型市场。
近年来，全球 NAND Flash 的主要厂商有三星、美光、SK 海力士、东芝和西部数据。其制程技术和推进路线D NAND Flash 市场蒸蒸日上的态势极大地激励了闪存制造厂商增加投资和扩充产能的热情。据集邦咨询半导体研究中心（DRAM eXchange）的报道，自 2017 年以来，三星、SK海力士、美光、东芝、英特尔和西部数据等都在实施其存储器研发和制造的扩产计划。中国大陆的武汉长江存储也紧锣密鼓地实施规模庞大的 3D NAND Flash 发展计划。
综观 2018～2020 年全球 3D NAND Flash 的发展的新趋势，可以预料在 2018 年，随着各制造厂商产能的释放，全球闪存价格开始回落。到 2019 年全球 3D NAND Flash 市场将再度进入供过于求的状态。
2017～2018 年全球各主要闪存供应厂商提升技术和扩充产能的表现如下。
受惠于高容量 eMMC、UFS 需求和固态硬盘市场表现强劲，三星除 2017 年第一季度 NAND Flash 出货量略有衰退之外，其他季度三星 NAND Flash 的季度营收增长率均在 20% 以上，每季平均销售价格的增势也在 5% 以上。2016 年三星的 Line16 持续转进 3D NAND Flash 生产，2017 年三星 Line17 和平泽新厂的产能也从第三季度开始提升。
为了逐步扩大 3D NAND Flash 的产能，三星在 3D NAND Flash 领域的投资规模高于先前计划。三星 2017 年在半导体领域的投资额创下了历史上最新的记录，由 2016 年的 113 亿美元增至 2017 年的 260 亿美元。其中 140 亿美元用于 3D NAND Flash，70 亿美元用于 DRAM，50 亿美元用于 10 nm 工艺扩产。由此看来，三星过去在 DRAM 市场大举投资的成功经验将再次运用于 NAND Flash 的技术升级和产能扩张，借此拉大与竞争对手的差距。
美光原本生产 32 层 3D NAND Flash，之后跳过 48 层技术，立即进入研发生产 64 层 3D NAND Flash，并放量生产。到 2018 年年初，美光有望将 64 层 3D NAND Flash 产品容量提高到 128 GB，以抢攻消费性 SSD 和企业级 SSD 两大应用市场，同时还积极与英特尔合作推动 3D X point 技术在数据中心领域带来营收增值。
2017 年，美光积极地推进 3D NAND 业务，为美光发展带来新的发展动力。2017 年，美光 3D NAND Flash 的产出比重超过 50%。原有的 2D NAND Flash 产品下滑至 10% 左右，仅满足原有利基型的应用场合。
2017 年东芝为持续扩大 3D NAND Flash 产能，宣布在日本四日市兴建的 Fab 6的投资金额从原先规划的 1 950 亿日元扩大至 3 050 亿日元。并计划 2018 年在日本岩手县北上市动工兴建另一座新的工厂。
与此同时，东芝集团还表示要与西部数据（WD，Western Digtal）和晟碟（SanDisk）合作，共同投资日本四日市的另一条新的内存生产线。西部数据是当前世界上最大的硬盘制造商之一，其 2016 年以 160 亿美元收购了 SanDisk。在此之前 SanDisk 一直是东芝芯片业务的合作伙伴。
（5）英特尔。据集邦咨询半导体研究中心（DRAM eXchange）的统计，一直以来，英特尔凭借 CPU 的优势高居 Server SSD（服务器固态硬盘）的市场龙头。例如，2016 年英特尔在 Server SSD 市场的占有率超过 30%。但近一二年来，随着三星等厂商技术推进和经验积累，英特尔在价格敏感度较高的中低端 Server SSD 市场渐受挑战。英特尔为了保持在 Server SSD 领域的领头羊，2017 年制造 64 层 3D NAND Flash 作为发展 10 nm 产品的第一站。因为 NAND Flash 芯片的结构相对简单，绝大多数都是海量同类晶体管的堆积，相比之下用来制造 CPU 处理器和 FPGA 芯片的工艺要复杂得多。按照英特尔的说法，用来制造 64 层 3D NAND Flash 的 10 nm 制程同样使用了 FinFET（鳍式场效应晶体管）和 Hyper Scaling 技术（超缩微技术）。这可将晶体管密度提升 2.7 倍，因而可以大幅度缩小 NAND Flash 芯片面积，极大地提升 NAND Flash 的容量。可以预料，英特尔的 64 层 3D NAND Flash 将首先运用于数据中心市场，等成本下降之后，再向消费市场推广。
备受业界关注的中国大陆武汉长江存储生产基地建设进展顺利，预计在 2018 年下半年开始营运，初期投产的 32 层 3D NAND Flash 已经研制出样，并同时致力于 64 层产品的开发，以拉近与其他供应厂商之间的差距。
近年来，受惠于车用电子、智能手机、物联网和无人机等大举导入 NOR Flash（编码型快闪存储器），加上近年来 NOR Flash 产能一直遭到 NAND Flash 的挤压，并无新增产能，供需缺口大幅扩大。2017 年以来，苹果新型智能手机 iPhone8 跟进三星导入 AMOLED 显示面板，中国华为、OPPO 及vivo 等品牌手机也随之跟进，使 NOR Flash 缺货如滚雪球般扩大，推动 NOR Flash 也跟上 DRAM 和NAND Flash 的涨价步伐。从 2016 年年底到 2017 年下半年，NOR Flash 价格持续上涨了近 60%。
根据 TrendForce 的报道，全球 NOR Flash 的主要供应商集中于美国的赛普拉斯（Cypress）和美光（Micro），以及中国台湾地区的旺宏电子、华邦电子和晶豪科技，还有我国大陆地区的兆易创新 6 家企业。
近年来，NOR Flash 市场越趋集中。2015年美系大厂飞索（Spansion）宣布进入破产保护后，被赛普拉斯（Cypress）并购，产品逐步聚焦于车用电子市场。加上美光（Micro）并购恒亿（Numonyx）、微芯（Microchip）并购超捷（ST），逐渐形成了当前的6家厂商的垄断局面。
随着我国大陆地区智能手机、物联网和车用电子对 NOR Flash 的需求，推动武岳峰基金出手收购美商矽成（ISSI），兆易创新也将产品重心转向扩产 NOR Flash。武汉新芯近年来一直与飞索（Spansion）和赛普拉斯（Cypress）合作，成为国内最大的 NOR Flash 制造企业。
2017 年是全球集成电路技术 10 nm 节点的量产期，而 2018 年是 10 nm 节点向 7 nm 节点的世代过渡期。近 10 年来，集成电路技术经历了特征尺寸不断减小、新材料的导入、晶体管机构的改进、晶圆向大尺寸转进、制造设备向自动化和高产出率转化、反应系统整体性能先进、先进封装不断替代传统封装、三维（3D）堆叠封装涌现，芯片设计向系统模块设计过渡。所有这些技术创新推动了集成电路技术大步向前，日新月异。
[1] 上海市集成电路行业协会.2018年上海集成电路产业发展研究报告[M].北京：电子工业出版社，2018.