集微网消息，天眼查显示，华为技术有限公司近日新增多条专利信息，其中一条名称为“半导体结构及其制备方法、三维存储器、电子设备”，公开号为CN116940110A。
专利摘要显示，本申请涉及半导体芯片技术领域，旨在怎么样提高三维存储器的存储密度。该半导体结构包括外围堆叠层、电容器、第一接触柱和第一信号线，外围堆叠层包括层叠设置的多个膜层对，膜层对包括第一介质层和栅极层，多个膜层对形成多个台阶。电容器包括第一电极和第二电极。第一接触柱位于第一目标台阶的上方，且一端与形成第一目标台阶的膜层对中的栅极层电连接，第一目标台阶为多个台阶中的一个台阶。第一信号线与第一接触柱的另一端电连接，第一信号线被配置为向栅极层传输第一电压信号，栅极层被配置为形成第一电极。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
华为指出，随着存储单元的特征尺寸接近工艺下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高昂，这造成2D存储器的存储密度接近上限。为克服2D存储器带来的限制，业界已经研发了具有三维结构的存储器（3D存储器，也称作三维存储器），通过膜层的堆叠、微缩器件关键尺寸来提高存储密度。
上述三维存储器还包括外围电路，该外围电路与存储单元设置于三维存储器的不一样的区域。外围电路中包括金属-氧化物-金属（Metal-Oxide-Metal，简称MOM）电容器，基于此，如何减小MOM电容器所占区域的面积，增加存储单元所占区域的面积，以提高三维存储器的存储密度，成为本领域亟待解决的问题。
有记者在会上提问：“国家知识产权局在推动高校和科研机构专利转化运用方面开展了哪些工作？下一步又有哪些新的工作安排？”
国家知识产权局局长申长雨表示，高校和科研机构是国家战略科技力量和国家创新体系的重要组成部分。截至2023年9月，国内高校有效发明专利拥有量达到76.7万件，科研机构有效发明专利拥有量达到22万件，合计占国内有效发明专利拥有量的25.3%，超过四分之一。近年来，国家知识产权局会同教育部、科技部、中科院等有关部门逐渐完备制度机制，多措并举促进高校和科研机构专利转化运用。
一是加强制度建设。推动新修改的专利法纳入职务发明产权激发鼓励措施，引入专利开放许可制度，推动达成许可超过万项。印发产学研合作协议知识产权条款指引和专利转让许可合同指引，指导高校和科研机构做好知识产权归属和处置。二是加强政策引导。完善知识产权高水平发展的政策体系，开展“千校万企”协同创新伙伴行动和“百校千项”高价值专利培育转化行动。2022年，全国高校科研院所向中小企业转让、许可专利达2.9万次，比2020年增长60.2%。三是突出示范带动。联合科技部等部门开展赋予科研人员职务科技成果所有权或长期使用权改革试点。会同教育部遴选110所知识产权试点示范高校。
下一步，根据《专利转化运用专项行动方案（2023-2025年）》部署，国家知识产权局将从三个方面着手，梳理盘活高校和科研机构存量专利。
一是组织高校、科研机构全面盘点存量专利。动员全国高校和科研机构筛选具有潜在市场价值的专利，建立供需对接、推广应用和跟踪反馈机制，力争在2025年的年底前实现高校和科研机构未转化的有效专利全覆盖。
二是由企业对专利产业化前景进行评价反馈。将筛选出的专利统一线上登记入库，运用大数据、人工智能等新技术，按照产业细致划分领域向企业匹配推送。由企业对专利产业化前景进行评价，并反馈专利技术改进需求和产学研合作意向。
三是加强推广对接和资源匹配。加强地方政府部门、产业园区、行业协会和全国知识产权运营服务平台体系等各方协同，根据存量专利分层情况，采取差异化推广措施。针对高价值专利，匹配政策、服务、资本等优质资源，推动校企精准对接，促进专利高效转化。
集微网消息，天眼查显示，芯浦（苏州）传感科技有限公司“一种芯片输出环路电流的转换电路”专利获授权，授权公告日为10月20日，授权公告号为CN116700421B。
专利摘要显示，本发明公开了一种芯片输出环路电流的转换电路，包括：稳压电路，稳压电路并联第一三极管Q1，通过第一三极管Q1连接运算电路，将后端系统电源电压Vin+输送到运算电路上形成正反馈电路，运算电路的输出端连接第二三极管Q3形成负反馈电路，在运算电路的正反馈电路中小电流I1经过运算电路后得到一个大于I1的电流I2，并将电流I2输送到环路电流Iloop中输出，后端系统电源电压输入为12V‑24V，环路电流Iloop输出为4mA‑20mA，进而时环路电流随输入电压改变，该电路通过利用稳压二极管D1及第一电阻R1达到稳压效果，且提供前端芯片系统的稳定电源供应，连接第一三极管Q1达到控制开关整个电路的目的。（校对/刘沁宇）
集微网消息，天眼查显示，上海天马微电子有限公司“微流控芯片及其制作的过程”专利获授权，授权公告日为10月20日，授权公告号为CN114471755B。
专利摘要显示，本发明公开了一种微流控芯片及其制作的过程，涉及显示技术领域，微流控芯片包括：阵列基板；疏水层，疏水层位于阵列基板的一侧，疏水层包括至少一个通孔，沿垂直于阵列基板所在平面的方向上，通孔贯穿疏水层；至少一个亲水部，亲水部位于通孔内。
集微网消息，天眼查显示，杭州士兰微电子股份有限公司“MEMS封装结构”专利获授权，授权公告日为10月24日，授权公告号为CN219885673U。
专利摘要显示，本申请公开了一种MEMS封装结构，包括：MEMS传感器单元，MEMS传感器单元具有质量块检测电极、正电容检测电极和负电容检测电极；ASIC单元，ASIC单元具有质量块检测电极、正电容检测电极和负电容检测电极，ASIC单元的各电极与MEMS传感器单元的各电极相对应；第一键合线，用于连接MEMS传感器单元的质量块检测电极和ASIC单元的质量块检测电极；第二键合线，用于连接MEMS传感器单元的正电容检测电极和ASIC单元的正电容检测电极；第三键合线，用于连接MEMS传感器单元的负电容检测电极和ASIC单元的负电容检测电极；其中，第二键合线和第三键合线关于第一键合线轴对称。
据悉，该MEMS封装结构通过采用对称设计的键合线，可以有效减小内部的寄生电容差异，增强了MEMS封装结构的稳定性和可靠性。
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